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Lenovo 4XB7A90100 unità a stato solido interna 1,92 TB 2,5 inch PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

Lenovo 4XB7A90100 unità a stato solido interna 1,92 TB 2,5 inch PCI Express 4.0 NVMe V-NAND
Lenovo 4XB7A90100 unità a stato solido interna 1,92 TB 2,5 inch PCI Express 4.0 NVMe V-NAND
927,71 €
The ThinkSystem PM9A3 Read Intensive NVMe Solid-State Drives (SSDs) are general-purpose yet high-performance family of NVMe SSDs. They are engineered for greater performance and endurance in a cost-effective design, and to support a broader set of workloads. Lenovo 4XB7A90100. SSD capacity: 1.92 TB... Leggi di più
Stock EsauritoNon disponibile Codice 2412991 Marca LENOVO Modello 4XB7A90100 Garanzia 2 anni
CategoriaSSD enterprise

Spedizioni e resi

The ThinkSystem PM9A3 Read Intensive NVMe Solid-State Drives (SSDs) are general-purpose yet high-performance family of NVMe SSDs. They are engineered for greater performance and endurance in a cost-effective design, and to support a broader set of workloads.

Lenovo 4XB7A90100. SSD capacity: 1.92 TB, SSD form factor: 2.5", Component for: Server/workstation

Punti salienti
  • 1.92 TB 2.5" PCI Express 4.0
  • 850000 IOPS
  • 130000 IOPS
  • V-NAND NVMe
  • Hardware encryption
  • S.M.A.R.T. support ECC
  • Component for: Server/workstation
Specifiche
Altezza
7 mm
Capacità SSD
1.92 TB
Certificazione
c-UL-us CE TUV CB CE (EU) BSMI (Taiwan) KC (South Korea) VCCI (Japan) RCM (Australia) FCC (USA) IC (CANADA)
Componente per
Server/workstation
Consumo energetico (lettura)
10 W
Consumo energetico (scrittura)
12.5 W
Crittografia hardware
Yes
ECC
Yes
Formato SSD
2.5"
Hot-swap
Yes
Interfaccia
PCI Express 4.0
Larghezza
70 mm
Latenza casuale - lettura (fino a)
80 µs
Latenza casuale - scrittura (fino a)
30 µs
Latenza sequenziale - lettura (fino a)
20 µs
Latenza sequenziale - scrittura (fino a)
20 µs
Lettura casuale (4KB)
850000 IOPS
NVMe
Yes
Peso
70 g
Profondità
100 mm
Resistenza agli urti non in funzione
1500 G
Scrittura casuale (4KB)
130000 IOPS
Scritture per unità al giorno (DWPD)
1
Supporto S.M.A.R.T.
Yes
Tasso di errore bit non correggibile (UBER)
< 1 per 10^17 bits read
Temperatura di esercizio (T-T)
0 - 70 °C
Temperatura di stoccaggio (T-T)
-40 - 85 °C
Tempo medio tra i guasti (MTBF)
2000000 h
Tipo di memoria
V-NAND
Umidità relativa di stoccaggio (H-H)
5 - 95%
Unità autocrittografante (SED)
Yes
Vibrazione non in funzione
20 G

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