Name: KINGSTON KVR16LS11/8 Kingston 8GB 1600MHz DDR3L CL11 SODIMM 1.35V
Brand: KINGSTON
SKU: 120397
Price: 108.00 EUR
Availability: InStock

60 mesi

KINGSTON KVR16LS11/8 Kingston 8GB 1600MHz DDR3L CL11 SODIMM 1.35V

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Stock 1 Codice 120397 Marca KINGSTON Modello KVR16LS11/8 Garanzia 5 anni

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Kingston Technology ValueRAM . Component for: Laptop, Internal memory: 8 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 8 GB, Internal memory type: DDR3L, Memory form factor: 204-pin SO-DIMM, CAS latency: 11

Punti salienti

JEDEC standard 1.35V and 1.5V Power Supply
VDDQ = 1.35V and 1.5V
800MT/s fCK for 1600Mb/sec/pin
8 independent internal bank
Programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5
Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
8-bit pre-fetch
Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS]
Bi-directional Differential Data Strobe
Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
On Die Termination using ODT pin
Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95°C
Asynchronous Reset
PCB: Height 1.18” (30mm), double sided component
Laptop 8 GB DDR3L 1600 MT/s
204-pin SO-DIMM 1 x 8 GB
CAS latency: 11
1.35,1.5 V

Specifiche

Altezza

30 mm

Bus di memoria

64 bit

Codice Sistema Armonizzato (HS)

84733020

Componente per

Laptop

Configurazione del modulo

1G X 64

Configurazione memoria

1 x 8192 MB

Configurazione memoria (moduli x capacità)

1 x 8 GB

ECC

Formato memoria

204-pin SO-DIMM

Frequenza del bus

1600 MHz

Indicazione di errore

Larghezza

67.6 mm

Latenza CAS

Marca

Kingston

Memoria interna

8192 MB

Modello

KVR16LS11/8

MPN

KVR16LS11/8

Organizzazione dei chip

Paese di origine

Taiwan

Placcatura dei contatti

Gold

Temperatura di esercizio (T-T)

0 - 85 °C

Temperatura di stoccaggio (T-T)

-55 - 100 °C

Tempo di attività della riga

35 ns

Tempo di ciclo della riga

48.125 ns

Tempo di ciclo di refresh della riga

260 ns

Tensione memoria

1.35,1.5 V

Tipo di memoria buffered

Unregistered (unbuffered)

Tipo di memoria interna

DDR3L

Velocità di trasferimento dati della memoria

1600 MT/s

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